Arayüzey Doğal Oksit Tabakalı Al/p-Si/Al Yapıların Dielektrik Karakteristiklerine Ölçüm Frekansının Etkileri

Abstract

Deneysel olarak karakteristiklerini belirlemeye çalıştığımız arayüzey doğal oksit tabakalı Al/p- Si/Al metal/oksit tabaka/yarıiletken veya diğer bir adıyla metal/yalıtkan tabaka/yarıiletken (MIS) yapılar elde edilmiştir. Bu yapı için taban malzeme olarak 1-10 ?-cm özdirençli p-Si yarıiletkeni kullanılmıştır. Arka yüzeyi omik kontaklı olan bu p-Si dilim, laboratuvar ortamında ön parlak yüzeyi üzerinde doğal oksit SiO2 tabakasının oluşması sağlanmıştır. Diyot parametrelerinin elde edilmesi için, yaygın olarak kullanılan, farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V) kondüktans-gerilim (G-V) ölçümlerinden Al/p-Si MIS yapının deneysel frekans admittans karakteristikleri elde edilmiştir. Bu karakteristiklerinden, gerçek ??? ve sanal dielektrik ???? sabiti, loss-tanjant (????/???), gerçek ??? ve sanal elektriksel modulüs ???? ve ac iletkenliği ?????? gibi parametreleri hesaplanmış ve gerekli grafikler çizimleri ve yorumları yapılmıştır.